Elektronik Mühendisliği öğrencileri ister bir röportaja ister canlı sese hazırlanırken bazı Temel Elektronik Sorularıyla yüzleşmek zorundadır. Bu nedenle, bu makale size Mülakat ve diğer rekabetçi sınavlar için birkaç Temel Elektronik Sorusu sunmaktadır.
Genel olarak Elektronik alanındaki konu okyanusunu kapsamak için çeşitli kitaplara başvurmanız gerekir. Arkadaşlar, işinizi kolaylaştırmak için farklı konulardan birkaç temel elektronik sorusunu topladım ve bunları farklı bölümler halinde düzenledim.
Başlangıçta ağırlıklı olarak çoktan seçmeli tipteki sorulara odaklanacağım ve gelecekte açıklamalar ve bazı kısa cevaplı tipteki soruları ekleyeceğim.
Cevap: İç direnci sıfır olan bir cihaz.
2. İdeal akım kaynağı nedir?
Cevap: Sonsuz iç dirence sahip bir cihaz.
3. Pratik bir voltaj kaynağı nedir?
Cevap: İç direnci küçük olan bir cihaz.
4. Pratik akım kaynağı nedir?
Cevap: İç direnci büyük olan bir cihaz.
5. İdeal bir gerilim kaynağının gerilimi A'dır.
Sıfır
B. Sabit
C. Yük direncine bağlıdır
D. İç dirence bağlıdır
Cevap: B
6. İdeal bir akım kaynağından çıkan akım A'dır.
Sıfır
B. Sabit
C. Yük direncine bağlıdır
D. İç dirence bağlıdır
Cevap: B
7. Elektrik akımının iki nokta arasında taşınabileceği yola
A denir. A ağı
B. Röle
C. Devre
D. Döngü
Cevap: C
8. Ohm Kanununa göre akımın formülü A'dır.
Gerilim / Direnç
B. Direnç * Gerilim
C. Gerilim + Direnç
D. Direnç / Gerilim
Cevap: A
9. Elektrik direncinin birimi A'dır
. Volt
B. Amp
C. Ohm
D. Coulomb
Cevap: C
10. Sabit voltajlı bir DC devresinde direnç arttığında akım
A. Azalır
B. Durur
C. Artar
D. Sabit kalır
Cevap: A
A. 1
B. 4
C. 8
D. 16
Cevap: B
2. En yaygın kullanılan yarı iletken element
A. Silikon
B. Germanyum
C. Galyum
D. Karbon
Cevap: A
3. Bakır bir
A. Yalıtkandır
B. İletken
C. Yarı İletken
D. Süper İletken
Cevap: B
4. Silikon atomunun çekirdeğindeki proton sayısı
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
Cevap: B
5. Bir iletkenin değerlik elektronuna A denir
. Bağlı elektron
B. Serbest elektron
C. Çekirdek
D. Proton
Cevap: B
6. Oda sıcaklığında kendine özgü bir yarı iletken
A'ya sahiptir. Birkaç serbest elektron ve delik
B. Çok sayıda delik
C. Çok sayıda serbest elektron
D. Delik yok
Cevap: A
7. Oda sıcaklığında, içsel bir yarı iletkenin içinde A. Katkılama nedeniyle bazı delikler bulunur.
B. Serbest elektronlar
C. Termal enerji
D. Değerlik elektronları
Cevap: C
8. İçsel bir yarı iletkendeki delik sayısı A'dır.
Serbest elektron sayısına eşit
B. Serbest elektron sayısından fazla
C. Serbest elektron sayısından az
D. Yukarıdakilerin hiçbiri
Cevap: A
9. Delikler görev yapar
A. Atomlar
B. Kristaller
C. Negatif yükler
D. Pozitif yükler
Cevap: D
10. A grubundan tek olanı seçin
. İletken
B. Yarıiletken
C. Dört değerlik elektronu
D. Kristal yapı
Cevap: A
11. P-tipi yarı iletkenler üretmek için A'yı eklemeniz gerekir
. Üç değerlikli safsızlık
B. Karbon
C. Beş değerlikli safsızlık
D. Silikon
Cevap: A
12. A. Dışsal Yarıiletkenler
B. p-tipi Yarıiletkenler
C. İçsel Yarıiletkenler
D. n-tipi Yarıiletkenler
Cevap: D
13. P-tipi bir yarı iletken şunları içerir:
A. Delikler ve Negatif iyonlar
B. Delikler ve Pozitif iyonlar
C. Delikler ve Beş Değerlik Atomlar
D. Delikler ve Donör Atomlar
Cevap: A
14. Beş değerlik atomların kaç elektronu vardır?
A. 1
B. 3
C. 4
D. 5
Cevap: D
15. Negatif iyonlar
A. Proton elde eden atomlar
B. Proton kaybeden atomlar
C. Elektron elde eden atomlar
D. Elektron kaybeden atomlar
Cevap: C
16. Potansiyel bariyerin her iki tarafındaki PN Kavşağında İyonlaşmanın sonucu nedir?
A. Bariyer Gerilimi
B. Bağlantı
C. Tükenme Bölgesi
D. İleri Gerilim
Cevap: C
17. Tükenme Bölgesinin Nedeni __________
A. Difüzyon
B. İyonlar
C. Katkılama
D. İleri Gerilim
Cevap: A
18. Aşağıdakilerden hangisi Yarıiletkendir?
A. Argon
B. Karbon
C. Mika
D. Seramik
Cevap: B
19. Aşağıdakiler arasında doping malzemesi
A. n-tipi Yarı İletken
B. Çoğunluk Taşıyıcıları
C. Dışsal Yarı İletken Malzeme
D. Beş Değerlikli Malzeme
Cevap: D
20. Azınlık taşıyıcılarını A. İleri Gerilim
B. Katkılama
C. Isı
D. Basınç kullanarak kolayca etkinleştirebiliriz
. Cevap: C
A. Doping
B. Rekombinasyon
C. Bariyer potansiyeli
D. İyonlar
Cevap: B
2. Bir diyottaki ters akım genellikle A'dır
. Çok küçük
B. Çok büyük
C. Sıfır
D. Arıza bölgesinde
Cevap: A
3. Diyotta çığ A'da meydana gelir.
Bariyer potansiyeli
B. Tükenme katmanı
C. Diz gerilimi
D. Kırılma gerilimi
Cevap: D
4. Silikon diyotun potansiyel bariyeri A'dır.
0,3 V
B. 0,7 V
C. 1 V
D. 5V
Cevap: B
5. Silikon Diyottaki ters doyma akımı, Germanyum Diyot A'nınkinden _____'dir
. Eşit
B. Daha yüksek
C. Daha düşük
D. Sıcaklığa bağlıdır
Cevap: C
6. Diyot bir A'dır.
İki Taraflı Cihaz
B. Doğrusal Olmayan Cihaz
C. Doğrusal Cihaz
D. Tek Kutuplu Cihaz
Cevap: C
7. Diyot akımı bu durum için büyüktür
A. İleriye Yönelik Önyargı
B. Ters Önyargı
C. Zayıf Önyargı
D. Ters Önyargı
Cevap: A
8. Köprü doğrultucunun çıkış voltajı sinyali A'dır
. Yarım dalga
B. Tam dalga
C. Köprüyle doğrultulmuş sinyal
D. Sinüs dalgası
Cevap: B
9. Köprü Doğrultucudaki diyotların maksimum DC akım değeri 1A ise maksimum DC yük akımı nedir?
A. 1A
B. 2A
C. 4A
D. 8A
Cevap: B
10. Gerilim çarpanları A'yı üretir.
Alçak gerilim ve düşük akım
B. Düşük gerilim ve yüksek akım
C. Yüksek gerilim ve düşük akım
D. Yüksek gerilim ve yüksek akım
Cevap: C
11. Clipper nedir?
Cevap: Belirli bir voltaj seviyesini aşmaması için dalga formunun bir kısmını (pozitif veya negatif) çıkaran devre.
12. Kelepçe Nedir?
Cevap: Bir dalgaya DC voltajı (pozitif veya negatif) ekleyen devre.
13. Zener diyot A. Doğrultucu diyot olarak tanımlanabilir .
B. Sabit voltajlı bir cihaz.
C. Sabit akımlı bir cihaz.
D. İleri bölgede çalışan bir cihaz.
Cevap: B
14. Zener Diyot yanlış polaritede bağlanırsa yük üzerindeki voltaj A'dır
. 0,7 V
B. 10 V
C. 14 V
D. 18 V
Cevap: A
15. Diyotlar akımın tek yönde akışına izin verdikleri için aşağıdaki amaçlarla kullanılabilirler:
A. Akım Sınırlama
B. Ters Polarite Koruması
C. Yük Depolama
D. Gerilim Düzenleme
Cevap: B
16. İyi bir diyotu bir multimetre ile test ettiğinizde, şunu gösterir:
A. İleriye doğru öngerilimli veya ters öngerilimli olduğunda düşük direnç
B. İleriye doğru öngerilimli veya ters öngerilimli olduğunda yüksek direnç
C. İleriye doğru öngerilimli olduğunda yüksek direnç ve ters yönde öngerilimli olduğunda Düşük direnç
D. Düşük İleriye doğru yönlendirildiğinde direnç ve Tersine yönlendirildiğinde yüksek direnç
Cevap: D
17. Bir PN ekleminde akım ne zaman akar?
A. Hem p tipi hem de n tipi elementler aynı potansiyelde olduğunda
B. Ne p tipi ne de n tipi elementlerde potansiyel olmadığında
C. P tipi element n tipi elementten daha pozitif potansiyelde olduğunda
D N-tipi element n-tipi elementten daha pozitif potansiyele sahip olduğunda
Cevap: C
18. Kenetleme Devreleri genellikle
A. TV Vericileri ve Alıcıları
B. FM Vericileri
C. Sinyal Üreteçleri (Kare, Yamuk vb.)
D. Yukarıdakilerin tümü
Cevap: D
19. Bir diyotun ileri polarma ve ters akımının ölçüm birimleri A'dır.
µA ve µA
B. mA ve
µA C. µA ve mA
D. mA ve mA
Cevap: B
20. Diyot Karakteristiklerini modellemek için hangi grafik yöntem kullanılır
A. Üstel Yöntem
B. Küçük Sinyal Yaklaşımı
C. Yineleme Yöntemi
D. Sabit Gerilim Düşüşü Yöntemi
Cevap: A
A. Bir
B. İki
C. Üç
D. Dört
Cevap: B
2. NPN Transistördeki Bazın doping konsantrasyonu A'dır.
Hafif Katkılı
B. Orta Derecede Katkılı
C. Ağır Katkılı
D. Katkısız
Cevap: A
3. NPN Transistöründeki Baz – Verici Diyot (Baz – Verici Bağlantısı) A'dır.
İletken değildir
B. İleriye Yönelik
C. Geriye Yönelik
D. Arıza bölgesinde çalışır
Cevap: B
4. Base, Emitter ve Collector arasındaki boyut karşılaştırması A'dır.
Base > Collector > Emitter
B. Emitter > Collector > Base
C. Collector > Emitter > Base
D. Hepsi eşittir
Cevap: C
5. Baz – Kollektör Diyotu (Baz Kollektör Bağlantısı) genellikle A'dır.
Ters Eğilimlidir
B. İleri Eğilimlidir
C. Arıza Bölgesi
D. İletim Yok
Cevap: A
6. Bir Transistörün DC Akım Kazancı:
A. Emitör Akımının Kollektör Akımına Oranı
B. Beyz Akımının Emitör Akımına Oranı
C. Kollektör Akımının Beyz Akımına Oranı
D. Beyz Akımının Kollektör Akımına Oranı
Cevap: C
7. Taban akımı 100μA ve akım kazancı 100 ise kollektör akımı A’dır.
1A
B. 10A
C. 1mA
D. 10mA
Cevap: D
8. NPN ve PNP Transistörlerdeki çoğunluk taşıyıcılar
A. Delikler ve Elektronlar
B. Elektronlar ve Delikler
C. Akseptör İyonları ve Donör İyonları
D. Yok
Cevap: B
9. Transistör,
A. Gerilim Kaynağı ve Akım Kaynağı
B. Akım Kaynağı ve Direnç
C. Diyot ve Akım Kaynağı
D. Diyot ve Güç Kaynağı
Cevap: C
10. Baz Akım IB, Verici Akım IE ve Kolektör Akımı IC arasındaki ilişki A'dır.
IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB – IC
D. IC = IB + IE
Cevap: A
11. Bir transistör tarafından harcanan toplam güç, kollektör akımı ile
A. Besleme Gerilimi
B. 0,7V
C. Kollektör – Verici Gerilimi
D. Beyz – Verici Gerilimi'nin çarpımıdır
. Cevap: C
12. Ortak Verici Konfigürasyonunun giriş empedansı A'dır
. Düşük
B. Yüksek
C. Sıfır
D. Çok Yüksek
Cevap: A
13. Ortak Emitör Konfigürasyonunun çıkış empedansı:
A. Düşük
B. Çok Düşük
C. Yüksek
D. Sıfır
Cevap: C
14. İki kutuplu Bağlantı Transistörü (BJT) iki tiptir:
A. nnn ve ppp
B. npn ve pnp
C. pnn ve npp
D. nnp ve ppn
Cevap: B
15. BJT'de sık görülen hatalar nelerdir?
A. Dahili Kısa
B. Açık Öngerilim Direnci
C. Harici Açık ve
D. nnp ve ppn
Cevap: B
16. Dijital Devrelerde Transistörlerin olağan çalışma bölgesi A'dır
. Aktif Bölge
B. Doğrusal Bölge
C. Arıza Bölgesi
D. Kesim ve Doyum Bölgesi
Cevap: D
17. Verici Takipçi Konfigürasyonunun diğer adı
A. Ortak Taban Yükselteci
B. Ortak Verici Yükselteç
C. Ortak Kollektör Yükselteci
D. Darlington Çifti
Cevap: C
18. BJT _________ ve FET _________'dır
A. Bipolar ve Unipolar
B. Bipolar ve Bipolar
C. Unipolar ve Unipolar
D. Unipolar ve Bipolar
Cevap: A
19. Ortak Taban konfigürasyonundaki akım kazancı (α)
A. Taban Akımının Verici Akıma Oranı (IB/IE)
B. Kolektör Akımının Verici Akıma Oranı (IC/IE)
C. Kollektör Akımının Baz Akıma Oranı (IC/IB)
D. Hiçbiri
Cevap: B
20. α ve ß arasındaki ilişki A'dır.
α = ß / (ß + 1)
B. ß = α / (1 – α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß – 1)
Cevap: Hem A hem de B
Genel olarak Elektronik alanındaki konu okyanusunu kapsamak için çeşitli kitaplara başvurmanız gerekir. Arkadaşlar, işinizi kolaylaştırmak için farklı konulardan birkaç temel elektronik sorusunu topladım ve bunları farklı bölümler halinde düzenledim.
Başlangıçta ağırlıklı olarak çoktan seçmeli tipteki sorulara odaklanacağım ve gelecekte açıklamalar ve bazı kısa cevaplı tipteki soruları ekleyeceğim.
Temel Giriş Soruları
1. İdeal voltaj kaynağı nedir?Cevap: İç direnci sıfır olan bir cihaz.
2. İdeal akım kaynağı nedir?
Cevap: Sonsuz iç dirence sahip bir cihaz.
3. Pratik bir voltaj kaynağı nedir?
Cevap: İç direnci küçük olan bir cihaz.
4. Pratik akım kaynağı nedir?
Cevap: İç direnci büyük olan bir cihaz.
5. İdeal bir gerilim kaynağının gerilimi A'dır.
Sıfır
B. Sabit
C. Yük direncine bağlıdır
D. İç dirence bağlıdır
Cevap: B
6. İdeal bir akım kaynağından çıkan akım A'dır.
Sıfır
B. Sabit
C. Yük direncine bağlıdır
D. İç dirence bağlıdır
Cevap: B
7. Elektrik akımının iki nokta arasında taşınabileceği yola
A denir. A ağı
B. Röle
C. Devre
D. Döngü
Cevap: C
8. Ohm Kanununa göre akımın formülü A'dır.
Gerilim / Direnç
B. Direnç * Gerilim
C. Gerilim + Direnç
D. Direnç / Gerilim
Cevap: A
9. Elektrik direncinin birimi A'dır
. Volt
B. Amp
C. Ohm
D. Coulomb
Cevap: C
10. Sabit voltajlı bir DC devresinde direnç arttığında akım
A. Azalır
B. Durur
C. Artar
D. Sabit kalır
Cevap: A
Temel Yarı İletken Teorisi Soruları
1. Bir silikon atomundaki değerlik elektronlarının sayısıA. 1
B. 4
C. 8
D. 16
Cevap: B
2. En yaygın kullanılan yarı iletken element
A. Silikon
B. Germanyum
C. Galyum
D. Karbon
Cevap: A
3. Bakır bir
A. Yalıtkandır
B. İletken
C. Yarı İletken
D. Süper İletken
Cevap: B
4. Silikon atomunun çekirdeğindeki proton sayısı
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
Cevap: B
5. Bir iletkenin değerlik elektronuna A denir
. Bağlı elektron
B. Serbest elektron
C. Çekirdek
D. Proton
Cevap: B
6. Oda sıcaklığında kendine özgü bir yarı iletken
A'ya sahiptir. Birkaç serbest elektron ve delik
B. Çok sayıda delik
C. Çok sayıda serbest elektron
D. Delik yok
Cevap: A
7. Oda sıcaklığında, içsel bir yarı iletkenin içinde A. Katkılama nedeniyle bazı delikler bulunur.
B. Serbest elektronlar
C. Termal enerji
D. Değerlik elektronları
Cevap: C
8. İçsel bir yarı iletkendeki delik sayısı A'dır.
Serbest elektron sayısına eşit
B. Serbest elektron sayısından fazla
C. Serbest elektron sayısından az
D. Yukarıdakilerin hiçbiri
Cevap: A
9. Delikler görev yapar
A. Atomlar
B. Kristaller
C. Negatif yükler
D. Pozitif yükler
Cevap: D
10. A grubundan tek olanı seçin
. İletken
B. Yarıiletken
C. Dört değerlik elektronu
D. Kristal yapı
Cevap: A
11. P-tipi yarı iletkenler üretmek için A'yı eklemeniz gerekir
. Üç değerlikli safsızlık
B. Karbon
C. Beş değerlikli safsızlık
D. Silikon
Cevap: A
12. A. Dışsal Yarıiletkenler
B. p-tipi Yarıiletkenler
C. İçsel Yarıiletkenler
D. n-tipi Yarıiletkenler
Cevap: D
13. P-tipi bir yarı iletken şunları içerir:
A. Delikler ve Negatif iyonlar
B. Delikler ve Pozitif iyonlar
C. Delikler ve Beş Değerlik Atomlar
D. Delikler ve Donör Atomlar
Cevap: A
14. Beş değerlik atomların kaç elektronu vardır?
A. 1
B. 3
C. 4
D. 5
Cevap: D
15. Negatif iyonlar
A. Proton elde eden atomlar
B. Proton kaybeden atomlar
C. Elektron elde eden atomlar
D. Elektron kaybeden atomlar
Cevap: C
16. Potansiyel bariyerin her iki tarafındaki PN Kavşağında İyonlaşmanın sonucu nedir?
A. Bariyer Gerilimi
B. Bağlantı
C. Tükenme Bölgesi
D. İleri Gerilim
Cevap: C
17. Tükenme Bölgesinin Nedeni __________
A. Difüzyon
B. İyonlar
C. Katkılama
D. İleri Gerilim
Cevap: A
18. Aşağıdakilerden hangisi Yarıiletkendir?
A. Argon
B. Karbon
C. Mika
D. Seramik
Cevap: B
19. Aşağıdakiler arasında doping malzemesi
A. n-tipi Yarı İletken
B. Çoğunluk Taşıyıcıları
C. Dışsal Yarı İletken Malzeme
D. Beş Değerlikli Malzeme
Cevap: D
20. Azınlık taşıyıcılarını A. İleri Gerilim
B. Katkılama
C. Isı
D. Basınç kullanarak kolayca etkinleştirebiliriz
. Cevap: C
Temel Yarı İletken Diyot Soruları
1. Tükenme katmanına şunlar neden olur:A. Doping
B. Rekombinasyon
C. Bariyer potansiyeli
D. İyonlar
Cevap: B
2. Bir diyottaki ters akım genellikle A'dır
. Çok küçük
B. Çok büyük
C. Sıfır
D. Arıza bölgesinde
Cevap: A
3. Diyotta çığ A'da meydana gelir.
Bariyer potansiyeli
B. Tükenme katmanı
C. Diz gerilimi
D. Kırılma gerilimi
Cevap: D
4. Silikon diyotun potansiyel bariyeri A'dır.
0,3 V
B. 0,7 V
C. 1 V
D. 5V
Cevap: B
5. Silikon Diyottaki ters doyma akımı, Germanyum Diyot A'nınkinden _____'dir
. Eşit
B. Daha yüksek
C. Daha düşük
D. Sıcaklığa bağlıdır
Cevap: C
6. Diyot bir A'dır.
İki Taraflı Cihaz
B. Doğrusal Olmayan Cihaz
C. Doğrusal Cihaz
D. Tek Kutuplu Cihaz
Cevap: C
7. Diyot akımı bu durum için büyüktür
A. İleriye Yönelik Önyargı
B. Ters Önyargı
C. Zayıf Önyargı
D. Ters Önyargı
Cevap: A
8. Köprü doğrultucunun çıkış voltajı sinyali A'dır
. Yarım dalga
B. Tam dalga
C. Köprüyle doğrultulmuş sinyal
D. Sinüs dalgası
Cevap: B
9. Köprü Doğrultucudaki diyotların maksimum DC akım değeri 1A ise maksimum DC yük akımı nedir?
A. 1A
B. 2A
C. 4A
D. 8A
Cevap: B
10. Gerilim çarpanları A'yı üretir.
Alçak gerilim ve düşük akım
B. Düşük gerilim ve yüksek akım
C. Yüksek gerilim ve düşük akım
D. Yüksek gerilim ve yüksek akım
Cevap: C
11. Clipper nedir?
Cevap: Belirli bir voltaj seviyesini aşmaması için dalga formunun bir kısmını (pozitif veya negatif) çıkaran devre.
12. Kelepçe Nedir?
Cevap: Bir dalgaya DC voltajı (pozitif veya negatif) ekleyen devre.
13. Zener diyot A. Doğrultucu diyot olarak tanımlanabilir .
B. Sabit voltajlı bir cihaz.
C. Sabit akımlı bir cihaz.
D. İleri bölgede çalışan bir cihaz.
Cevap: B
14. Zener Diyot yanlış polaritede bağlanırsa yük üzerindeki voltaj A'dır
. 0,7 V
B. 10 V
C. 14 V
D. 18 V
Cevap: A
15. Diyotlar akımın tek yönde akışına izin verdikleri için aşağıdaki amaçlarla kullanılabilirler:
A. Akım Sınırlama
B. Ters Polarite Koruması
C. Yük Depolama
D. Gerilim Düzenleme
Cevap: B
16. İyi bir diyotu bir multimetre ile test ettiğinizde, şunu gösterir:
A. İleriye doğru öngerilimli veya ters öngerilimli olduğunda düşük direnç
B. İleriye doğru öngerilimli veya ters öngerilimli olduğunda yüksek direnç
C. İleriye doğru öngerilimli olduğunda yüksek direnç ve ters yönde öngerilimli olduğunda Düşük direnç
D. Düşük İleriye doğru yönlendirildiğinde direnç ve Tersine yönlendirildiğinde yüksek direnç
Cevap: D
17. Bir PN ekleminde akım ne zaman akar?
A. Hem p tipi hem de n tipi elementler aynı potansiyelde olduğunda
B. Ne p tipi ne de n tipi elementlerde potansiyel olmadığında
C. P tipi element n tipi elementten daha pozitif potansiyelde olduğunda
D N-tipi element n-tipi elementten daha pozitif potansiyele sahip olduğunda
Cevap: C
18. Kenetleme Devreleri genellikle
A. TV Vericileri ve Alıcıları
B. FM Vericileri
C. Sinyal Üreteçleri (Kare, Yamuk vb.)
D. Yukarıdakilerin tümü
Cevap: D
19. Bir diyotun ileri polarma ve ters akımının ölçüm birimleri A'dır.
µA ve µA
B. mA ve
µA C. µA ve mA
D. mA ve mA
Cevap: B
20. Diyot Karakteristiklerini modellemek için hangi grafik yöntem kullanılır
A. Üstel Yöntem
B. Küçük Sinyal Yaklaşımı
C. Yineleme Yöntemi
D. Sabit Gerilim Düşüşü Yöntemi
Cevap: A
Temel Transistör Soruları
1. Transistördeki PN Bağlantı SayısıA. Bir
B. İki
C. Üç
D. Dört
Cevap: B
2. NPN Transistördeki Bazın doping konsantrasyonu A'dır.
Hafif Katkılı
B. Orta Derecede Katkılı
C. Ağır Katkılı
D. Katkısız
Cevap: A
3. NPN Transistöründeki Baz – Verici Diyot (Baz – Verici Bağlantısı) A'dır.
İletken değildir
B. İleriye Yönelik
C. Geriye Yönelik
D. Arıza bölgesinde çalışır
Cevap: B
4. Base, Emitter ve Collector arasındaki boyut karşılaştırması A'dır.
Base > Collector > Emitter
B. Emitter > Collector > Base
C. Collector > Emitter > Base
D. Hepsi eşittir
Cevap: C
5. Baz – Kollektör Diyotu (Baz Kollektör Bağlantısı) genellikle A'dır.
Ters Eğilimlidir
B. İleri Eğilimlidir
C. Arıza Bölgesi
D. İletim Yok
Cevap: A
6. Bir Transistörün DC Akım Kazancı:
A. Emitör Akımının Kollektör Akımına Oranı
B. Beyz Akımının Emitör Akımına Oranı
C. Kollektör Akımının Beyz Akımına Oranı
D. Beyz Akımının Kollektör Akımına Oranı
Cevap: C
7. Taban akımı 100μA ve akım kazancı 100 ise kollektör akımı A’dır.
1A
B. 10A
C. 1mA
D. 10mA
Cevap: D
8. NPN ve PNP Transistörlerdeki çoğunluk taşıyıcılar
A. Delikler ve Elektronlar
B. Elektronlar ve Delikler
C. Akseptör İyonları ve Donör İyonları
D. Yok
Cevap: B
9. Transistör,
A. Gerilim Kaynağı ve Akım Kaynağı
B. Akım Kaynağı ve Direnç
C. Diyot ve Akım Kaynağı
D. Diyot ve Güç Kaynağı
Cevap: C
10. Baz Akım IB, Verici Akım IE ve Kolektör Akımı IC arasındaki ilişki A'dır.
IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB – IC
D. IC = IB + IE
Cevap: A
11. Bir transistör tarafından harcanan toplam güç, kollektör akımı ile
A. Besleme Gerilimi
B. 0,7V
C. Kollektör – Verici Gerilimi
D. Beyz – Verici Gerilimi'nin çarpımıdır
. Cevap: C
12. Ortak Verici Konfigürasyonunun giriş empedansı A'dır
. Düşük
B. Yüksek
C. Sıfır
D. Çok Yüksek
Cevap: A
13. Ortak Emitör Konfigürasyonunun çıkış empedansı:
A. Düşük
B. Çok Düşük
C. Yüksek
D. Sıfır
Cevap: C
14. İki kutuplu Bağlantı Transistörü (BJT) iki tiptir:
A. nnn ve ppp
B. npn ve pnp
C. pnn ve npp
D. nnp ve ppn
Cevap: B
15. BJT'de sık görülen hatalar nelerdir?
A. Dahili Kısa
B. Açık Öngerilim Direnci
C. Harici Açık ve
D. nnp ve ppn
Cevap: B
16. Dijital Devrelerde Transistörlerin olağan çalışma bölgesi A'dır
. Aktif Bölge
B. Doğrusal Bölge
C. Arıza Bölgesi
D. Kesim ve Doyum Bölgesi
Cevap: D
17. Verici Takipçi Konfigürasyonunun diğer adı
A. Ortak Taban Yükselteci
B. Ortak Verici Yükselteç
C. Ortak Kollektör Yükselteci
D. Darlington Çifti
Cevap: C
18. BJT _________ ve FET _________'dır
A. Bipolar ve Unipolar
B. Bipolar ve Bipolar
C. Unipolar ve Unipolar
D. Unipolar ve Bipolar
Cevap: A
19. Ortak Taban konfigürasyonundaki akım kazancı (α)
A. Taban Akımının Verici Akıma Oranı (IB/IE)
B. Kolektör Akımının Verici Akıma Oranı (IC/IE)
C. Kollektör Akımının Baz Akıma Oranı (IC/IB)
D. Hiçbiri
Cevap: B
20. α ve ß arasındaki ilişki A'dır.
α = ß / (ß + 1)
B. ß = α / (1 – α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß – 1)
Cevap: Hem A hem de B